Силициум нитрид плоча и нејзиниот начин на производство

Име на патент:Подлога од силикон нитриди неговиот метод на производство, и методот на производство на плочка од силициум нитрид и полупроводнички модул со помош на плочата со силициум нитрид
Техничко поле:
Овој изум вклучуваПодлога од силикон нитриди неговите методи на производство. Покрај тоа, пронајдокот вклучува употреба на подлоги на колото на силициум нитрид и полупроводнички модули користејќи го горенаведенотоПодлога од силикон нитрид.
Техника на позадина:
Во последниве години, во полињата и другите области на електричните возила, моќниот полупроводнички модул (Power Semiconductor Module) (IGBT, моќен MOSFET, итн.) кој може да работи со висок напон и голема струја. За подлогата што се користи во модулот за енергетски полупроводници, една површина на изолациона керамичка подлога може да се користи за комбинирање со метална плочка, а подлогата од керамичкото коло со метална плоча за радијатор на друга површина. Покрај тоа, полупроводнички елементи на металното коло и така натаму. Комбинацијата на горенаведените изолациони керамички подлоги со метални кола и метални ладилници, како што е т.н. на правни. За таков моќен полупроводнички модул, дисипацијата на топлина е поголема со течење низ големи струи. Меѓутоа, бидејќи гореспоменатата изолациона керамичка подлога е ниска во однос на топлинската спроводливост, таа може да стане фактор што го попречува дисипацијата на топлина на полупроводничките компоненти. Дополнително, генерирањето на термички стрес е предизвикано од стапката на термичка експанзија помеѓу изолационата керамичка подлога и металната плоча и металната плоча за ладилник. Како резултат на тоа, изолационата керамичка подлога пука и се уништува, или металното коло или металната дисипација на топлина Плочката е одземена од изолационата керамичка подлога.